TP65H480G4JSG-TR Transphorm Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Transphorm
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 3.6A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 8V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.4A, 8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.8V @ 500µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 9 nC @ 8 V
Vgs (máx.): ±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 760 pF @ 400 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 13.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 3-PQFN (5x6)
Paquete/Caja: 3-SMD, Flat Lead
Número de producto base: TP65H480