RFD14N05L onsemi Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Last Time Buy
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 14A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 40 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 670 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: I-PAK
Paquete/Caja: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base: RFD14N05