E3M0120090D Wolfspeed, Inc. Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Wolfspeed, Inc.
Serie: E-Series, Automotive
Paquete: Tube
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 900 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 23A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 15V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.5V @ 3mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Vgs (máx.): +18V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 350 pF @ 600 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 97W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247-3
Paquete/Caja: TO-247-3
Número de producto base: E3M0120090