SCTW70N120G2V STMicroelectronics Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: STMicroelectronics
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 91A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 18V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.9V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 150 nC @ 18 V
Vgs (máx.): +22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3540 pF @ 800 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 547W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~200°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: HiP247??