RCX330N25 Rohm Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 250 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 33A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Vgs (máx.): ±30V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 2.23W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220FM
Paquete/Caja: TO-220-3 Full Pack
Número de producto base: RCX330