G1006LE Goford Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Goford Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 3A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 622 pF @ 50 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-23-3
Paquete/Caja: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3