G06N10 Goford Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Goford Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 190 pF @ 50 V
Disipación de potencia (máx.): 25W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-252 (DPAK)
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63