G06N06S Goford Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Goford Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 8A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 46 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1600 pF @ 30 V
Disipación de potencia (máx.): 2.1W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOP
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)