R6025JNZ4C13 Rohm Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 25A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 15V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 7V @ 4.5mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 57 nC @ 15 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1900 pF @ 100 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 306W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247G
Paquete/Caja: TO-247-3
Número de producto base: R6025