Fabricante: Microchip Technology
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 700 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: -
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): -
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Vgs (máx.): -
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): -
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247-3
Paquete/Caja: TO-247-3
Número de producto base: MSC090
