Fabricante: STMicroelectronics
Serie: MDmesh??K5
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 900 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5V @ 100µA
Vgs (máx.): ±30V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: I2PAK
Paquete/Caja: TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Número de producto base: STI6
