TW030N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 60A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 18V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5V @ 13mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 82 nC @ 18 V
Vgs (máx.): +25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2925 pF @ 800 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 249W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247
Paquete/Caja: TO-247-3