SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVII
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 250mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.2V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 100µA
Vgs (máx.): ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 42 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: CST3C
Paquete/Caja: SC-101, SOT-883
Número de producto base: SSM3J35