SI1302DL-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 600mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 280mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SC-70-3
Paquete/Caja: SC-70, SOT-323
Número de producto base: SI1302