IRF6794MTR1PBF Infineon Technologies Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 32A (Ta), 200A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.35V @ 100µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 4420 pF @ 13 V
Característica FET: Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (máx.): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -40°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: DIRECTFET??MX
Paquete/Caja: DirectFET??Isometric MX