NP80N03MLE-S18-AY Renesas Electronics America Inc Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 80A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 72 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3900 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220
Paquete/Caja: TO-220-3