SI7121ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 12A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 50 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1870 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -50°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerPAK® 1212-8
Paquete/Caja: PowerPAK® 1212-8
Número de producto base: SI7121