GC11N65F Goford Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Goford Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 11A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 21 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 901 pF @ 50 V
Disipación de potencia (máx.): 31.3W
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220F
Paquete/Caja: TO-220-3 Full Pack