SI6423DQ-T1-E3 Vishay Siliconix Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 8.2A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 800mV @ 400µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 110 nC @ 5 V
Vgs (máx.): ±8V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.05W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-TSSOP
Paquete/Caja: 8-TSSOP (0.173\ 4.40mm Width)
Número de producto base: SI6423