SSM6K819R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: Automotive, AEC-Q101
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 10A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 100µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1110 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 175°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-TSOP-F
Paquete/Caja: 6-SMD, Flat Leads