MSC080SMA120JS15 Microchip Technology Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Microchip Technology
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 31A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 20V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.8V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 64 nC @ 20 V
Vgs (máx.): +23V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 838 pF @ 1000 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 143W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-227 (ISOTOP®)
Paquete/Caja: SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base: MSC080