SCT2750NYTB Rohm Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos
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Descripción de sus requisitos
Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1700 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 5.9A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 18V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 975mOhm @ 1.7A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 630µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 17 nC @ 18 V
Vgs (máx.): +22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 275 pF @ 800 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-268
Paquete/Caja: TO-268-3, D鲁Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número de producto base: SCT2750
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1700 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 5.9A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 18V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 975mOhm @ 1.7A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 630µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 17 nC @ 18 V
Vgs (máx.): +22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 275 pF @ 800 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-268
Paquete/Caja: TO-268-3, D鲁Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número de producto base: SCT2750
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