NTR1P02LT1G onsemi Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.3A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.25V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 5.5 nC @ 4 V
Vgs (máx.): ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 225 pF @ 5 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-23-3 (TO-236)
Paquete/Caja: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base: NTR1P02