RU1C002UNTCL Rohm Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 200mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.2V, 2.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 1mA
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 25 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: UMT3F
Paquete/Caja: SC-85
Número de producto base: RU1C002