SSM3K341TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 100µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 550 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 175°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: UFM
Paquete/Caja: 3-SMD, Flat Leads