DMN2005UFG-7 Diodes Incorporated Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 18.1A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 164 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 6495 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1.05W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerDI3333-8
Paquete/Caja: 8-PowerVDFN
Número de producto base: DMN2005