TP90H180PS Transphorm Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Transphorm
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Obsolete
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 900 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 15A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.6V @ 500µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 10 nC @ 8 V
Vgs (máx.): ±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 780 pF @ 600 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220AB
Paquete/Caja: TO-220-3
Número de producto base: TP90H180