BS170-D74Z onsemi Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Cut Tape (CT); Tape & Box (TB)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 500mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 1mA
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 40 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 830mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-92-3
Paquete/Caja: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Número de producto base: BS170