G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 157A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 15V, 18V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 100A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.7V @ 50mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 288 nC @ 15 V
Vgs (máx.): +22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 9335 pF @ 800 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 567W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-247-4
Paquete/Caja: TO-247-4
Número de producto base: G3R12M