IXTY1R6N50D2-TRL IXYS Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: IXYS
Serie: Depletion
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 500 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.6A (Tj)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 0V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 645 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-252AA
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base: IXTY1