PSMN012-60YS,115 Nexperia USA Inc. Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 59A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1685 pF @ 30 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: LFPAK56, Power-SO8
Paquete/Caja: SC-100, SOT-669
Número de producto base: PSMN012