TPW1R104PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSIX-H
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 120A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.14mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 500µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 55 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 4560 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-DSOP Advance
Paquete/Caja: 8-PowerVDFN
Número de producto base: TPW1R104