SSM6G18NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 270 pF @ 10 V
Característica FET: Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.): 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-µDFN (2x2)
Paquete/Caja: 6-WDFN Exposed Pad
Número de producto base: SSM6G18