BSM180C12P2E202 Rohm Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tray
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 204A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): -
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 35.2mA
Vgs (máx.): +22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 20000 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C(TJ)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: Module
Paquete/Caja: Module
Número de producto base: BSM180