TJ10S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVI
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 10A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 19 nC @ 10 V
Vgs (máx.): +10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 930 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 27W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: DPAK+
Paquete/Caja: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base: TJ10S04