R6524KNX3C16 Rohm Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 24A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 5V @ 750µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 45 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1850 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 253W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220AB
Paquete/Caja: TO-220-3
Número de producto base: R6524