SISS61DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen III
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 1.8V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 900mV @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 231 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 8740 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerPAK® 1212-8S
Paquete/Caja: PowerPAK® 1212-8S
Número de producto base: SISS61