TJ200F04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVI
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 200A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 460 nC @ 10 V
Vgs (máx.): +10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1280 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220SM(W)
Paquete/Caja: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base: TJ200F04