XPN12006NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: Automotive, AEC-Q101
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 20A
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 0.2mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 23 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1100 pF @ 10 V
Disipación de potencia (máx.): 65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Paquete/Caja: 8-PowerVDFN
Número de producto base: XPN12006