NTMYS8D0N04CTWG onsemi Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 16A (Ta), 49A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.5V @ 30µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 10 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 625 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: LFPAK4 (5x6)
Paquete/Caja: SOT-1023, 4-LFPAK
Número de producto base: NTMYS8