IPB180P04P4L02ATMA2 Infineon Technologies Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS®-P2
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 180A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.2V @ 410µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 286 nC @ 10 V
Vgs (máx.): +5V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 18700 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO263-7-3
Paquete/Caja: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Número de producto base: IPB180