DN2530N3-G Microchip Technology Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Microchip Technology
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 300 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 175mA (Tj)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 0V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 300 pF @ 25 V
Característica FET: Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.): 740mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-92 (TO-226)
Paquete/Caja: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base: DN2530