BTS282ZE3180AATMA2 Infineon Technologies Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: TEMPFET®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Not For New Designs
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 49 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 80A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 240µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 232 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 4800 pF @ 25 V
Característica FET: Temperature Sensing Diode
Disipación de potencia (máx.): 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -40°C~175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TO263-7-1
Paquete/Caja: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base: BTS282