VN2210N2 Microchip Technology Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Microchip Technology
Serie: -
Paquete: Bag
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.7A (Tj)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.4V @ 10mA
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 500 pF @ 25 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 360mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-39
Paquete/Caja: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Número de producto base: VN2210