TK58E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVIII-H
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 58A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 500µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 46 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 3400 pF @ 30 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor: TO-220
Paquete/Caja: TO-220-3
Número de producto base: TK58E06