RM1A5N30S3AE Rectron USA Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rectron USA
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.5A (Ta), 1.4A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.5V @ 250µA
Vgs (máx.): ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 105 pF @ 15 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -50°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-323
Paquete/Caja: SC-70, SOT-323