RM2301 Rectron USA Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rectron USA
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tipo FET: P-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 3A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Vgs (máx.): ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 405 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-23
Paquete/Caja: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3