BSD214SNL6327 Infineon Technologies Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.5A (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 2.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Vgs (máx.): ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 143 pF @ 10 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C~150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-SOT363-6-6
Paquete/Caja: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363