BSS84WT106 Rohm Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: OptiMOS®
Paquete: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tipo FET: N-Channel
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 210mA (Ta)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 200µA
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 34 pF @ 30 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: UMT3
Paquete/Caja: SC-70, SOT-323