GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor Transistores - FET MOSFET - Sencillos

Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tube
Estado del producto: Active
Tipo FET: -
Tecnología: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 25A (Tc)
Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado): -
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A
Vgs(th) (Máx.) @ Id: -
Vgs (máx.): -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1403 pF @ 800 V
Característica FET: -
Disipación de potencia (máx.): 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: 175°C(TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor: -
Paquete/Caja: -
Número de producto base: GA10JT12